IXTP7N60P Todos los transistores

 

IXTP7N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTP7N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTP7N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ixys
 ixta7n60p ixtp7n60p.pdf pdf_icon

IXTP7N60P

VDSS = 600 VIXTA 7N60PPolarHVTMID25 = 7 AIXTP 7N60PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V(TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25 C7 A

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IXTP7N60P

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IXTP7N60P

IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient

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 ixta76n075t ixtp76n075t.pdf pdf_icon

IXTP7N60P

Preliminary Technical InformationIXTA76N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP76N075T ID25 = 76 APower MOSFET RDS(on) 12 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C76 A

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History: AP4438 | ET6309 | OSG65R125FZF | AP2312GN | IRF8852 | HGB059N12SL | IXFK90N20

 

 
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