IXTP7N60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTP7N60P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 500 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
IXTP7N60P Datasheet (PDF)
ixta7n60p ixtp7n60p.pdf
VDSS = 600 VIXTA 7N60PPolarHVTMID25 = 7 AIXTP 7N60PPower MOSFET RDS(on) 1.1 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 V(TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25 C7 A
ixta75n10p ixtp75n10p ixtq75n10p.pdf
IXTA 75N10P VDSS = 100 VPolarHTTMIXTP 75N10P ID25 = 75 APower MOSFETIXTQ 75N10P RDS(on) 25 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V(TAB)VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous 20 VTO-220 (IXTP)VGSM Transient
ixta76n075t ixtp76n075t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA76N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP76N075T ID25 = 76 APower MOSFET RDS(on) 12 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C76 A
ixta70n085t ixtp70n085t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA70N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP70N085T ID25 = 70 APower MOSFET RDS(on) 13.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 TC = 25C70 A
ixtp70n075t2.pdf
IXTP70N075T2www.VBsemi.comN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETaVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0065at VGS = 10 V 8080 0.0070at VGS = 6.0 V 75 17.1 nCAPPLICATIONS0.0085at VGS = 4.5 V 65 Primary Side SwitchingTO-220AB Synchronous RectificationD DC/AC Inverters LED Bac
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
