IXTP8N50PM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTP8N50PM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.88 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTP8N50PM
IXTP8N50PM Datasheet (PDF)
ixtp8n50pm.pdf
Preliminary Technical InformationIXTP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsOVERMOLDED TO-220(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS
ixta8n50p ixtp8n50p.pdf
IXTA 8N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 8N50P ID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 0.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C8 AIDM
ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG
ixtp8n65x2m.pdf
Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTP8N65X2MPower MOSFET ID25 = 4A RDS(on) 550m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGDSVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V
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