3SK181-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3SK181-6
   Código: EJ6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK181-6

3SK181-6 Datasheet (PDF)

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3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15

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Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source

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Liste

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