3SK182 Todos los transistores

 

3SK182 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK182
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 143 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

 Búsqueda de reemplazo de 3SK182 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3SK182 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  1
 3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf pdf_icon

3SK182

 9.1. Size:474K  1
 3sk181.pdf pdf_icon

3SK182

 9.2. Size:32K  1
 3sk186.pdf pdf_icon

3SK182

3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15

 9.3. Size:177K  sanyo
 3sk189.pdf pdf_icon

3SK182

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , IRF9540 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R .

History: 2N5486

 

 
Back to Top

 


 
.