3SK182 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3SK182
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 143 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT143
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK182
3SK182 Datasheet (PDF)
3sk186.pdf
3SK186Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationUHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK186Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 12 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pch 15
3sk180.pdf
Ordering number:ENN2129BN-Channel Silicon MOSFET (Dual Gate)3SK180High-Frequency General-Purpose AmplifierApplicationsApplications Package Dimensions FM tuners and VHF tuners. unit:mm2046AFeatures [3SK180]1.9 High power gain and low noise figure.0.95 0.95 High forward transfer admittance.0.40.164 30 to 0.11 20.60.95 0.851 : Drain2.92 : Source
Otros transistores... 3SK180 , 3SK180-4 , 3SK180-5 , 3SK180-6 , 3SK181 , 3SK181-4 , 3SK181-5 , 3SK181-6 , 7N65 , 3SK186 , 3SK192P , 3SK192Q , 3SK193P , 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R .
Liste
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MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918