IXTQ160N085T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTQ160N085T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 164 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTQ160N085T
IXTQ160N085T Datasheet (PDF)
ixth160n075t ixtq160n075t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTQ160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C 75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 160 AD (TAB
ixth160n10t ixtq160n10t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTQ160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DSVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 VTO-3P (IXTQ)
ixta16n50p ixtp16n50p ixtq16n50p.pdf
IXTA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXTQ 16N50P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25C16 A
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Liste
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