IXTQ160N085T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTQ160N085T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 100 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для IXTQ160N085T
IXTQ160N085T Datasheet (PDF)
ixth160n075t ixtq160n075t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTQ160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C 75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 160 AD (TAB
ixth160n10t ixtq160n10t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTH160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTQ160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsG(TAB)DSVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 VTO-3P (IXTQ)
ixta16n50p ixtp16n50p ixtq16n50p.pdf
IXTA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXTQ 16N50P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25C16 A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
