IXTQ200N10T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTQ200N10T 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 550 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: TO3P
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de IXTQ200N10T MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IXTQ200N10T datasheet
ixtq200n06p.pdf
PolarHTTM VDSS = 60 V IXTQ 200N06P ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 175 C60 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 60 V VGS Transient 30 V VGSM Continuous 20 V G ID25 TC = 25 C 200 A D (TAB) S ID(RMS) E
ixth200n085t ixtq200n085t.pdf
Preliminary Technical Information IXTH200N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTQ200N085T ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V ID25 TC = 25 C 20
ixth200n075t ixtq200n075t.pdf
Preliminary Technical Information IXTH200N075T VDSS = 75 V Trench Gate IXTQ200N075T ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V VGSM Transient 20 V ID25 TC = 25 C 200 A ILRMS
Otros transistores... IXTQ170N10P, IXTQ180N085T, IXTQ180N10T, IXTQ182N055T, IXTQ18N60P, IXTQ200N06P, IXTQ200N075T, IXTQ200N085T, IRF9540N, IXTQ220N055T, IXTQ220N075T, IXTQ22N50P, IXTQ22N60P, IXTQ230N085T, IXTQ23N60Q, IXTQ240N055T, IXTQ24N55Q
History: PSD04N65B | SI7120DN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor
