3SK192Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3SK192Q
   Código: 3XQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI-TYPE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 3SK192Q

3SK192Q Datasheet (PDF)

..1. Size:599K 1
3sk192p 3sk192q.pdf

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Mainten

9.1. Size:181K 1
3sk171 3sk179 3sk182 3sk193.pdf

9.2. Size:41K 1
3sk194.pdf

3SK194Silicon N-Channel Dual Gate MOS FETApplicationVHF/UHF TV tuner RF amplifierOutlineMPAK-42311. Source42. Gate13. Gate24. Drain3SK194Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to source voltage VDS 15 VGate 1 to source voltage VG1S 10 VGate 2 to source voltage VG2S 10 VDrain current ID 35 mAChannel power dissipation Pc

9.3. Size:181K toshiba
3sk199.pdf

3SK199 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK199 TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Unit: mm Superior cross modulation performance. Low reverse transfer capacitance: C = 0.015 pF (typ.) rss Low noise figure: NF = 1.9dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 13

9.4. Size:226K toshiba
3sk195.pdf

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