IXTQ90N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTQ90N15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 455 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTQ90N15T

IXTQ90N15T Datasheet (PDF)

9.1. Size:198K ixys
ixth96n20p ixtt96n20p ixtq96n20p.pdf

IXTH 96N20P VDSS = 200 VPolarHTTMIXTQ 96N20P ID25 = 96 APower MOSFET IXTT 96N20P RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Avalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VS(TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 VVGSS Continous 20 VTO-3P (IXTQ)VGSM Transient

9.2. Size:170K ixys
ixtq96n15p ixtt96n15p.pdf

IXTQ 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTMIXTT 96N15P ID25 = 96 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 150 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C96 A GD(TAB)

9.3. Size:239K ixys
ixth96n20p ixtq96n20p ixtt96n20p.pdf

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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