IXTR16P60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTR16P60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 440 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
IXTR16P60P Datasheet (PDF)
ixtr120p20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR120P20TPower MOSFETs ID25 = - 90A RDS(on) 32m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 V
ixtr102n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTR102N65X2Power MOSFET ID25 = 54A RDS(on) 33m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVG
ixtr140p10t.pdf

Preliminary Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR140P10TPower MOSFET ID25 = - 90A RDS(on) 13m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FQI5N40TU | SIR882ADP | IRL3101D1 | 2SK1839 | IRLZ34A | AP3N045EN | BR75N75
History: FQI5N40TU | SIR882ADP | IRL3101D1 | 2SK1839 | IRLZ34A | AP3N045EN | BR75N75



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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