IXTR170P10P Todos los transistores

 

IXTR170P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTR170P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

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IXTR170P10P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:196K  ixys
 ixtr120p20t.pdf pdf_icon

IXTR170P10P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR120P20TPower MOSFETs ID25 = - 90A RDS(on) 32m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 V

 9.2. Size:145K  ixys
 ixtr102n65x2.pdf pdf_icon

IXTR170P10P

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTR102N65X2Power MOSFET ID25 = 54A RDS(on) 33m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVG

 9.3. Size:192K  ixys
 ixtr140p10t.pdf pdf_icon

IXTR170P10P

Preliminary Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR140P10TPower MOSFET ID25 = - 90A RDS(on) 13m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient

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History: HCP60R099 | IXFH80N08 | SM3381EHQG | MPSD60M600 | 2SK1408 | OSG65R069H4SZF | GSM6604

 

 
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