IXTT500N04T2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTT500N04T2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 500 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: TO268

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IXTT500N04T2 datasheet

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IXTT500N04T2

Advance Technical Information TrenchT2TM VDSS = 40V IXTH500N04T2 ID25 = 500A Power MOSFET IXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 (IXTH) Fast Intrinsic Diode G D D (Tab) S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C40 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 40 V TO-268 (IXTT) VGSM T

 9.1. Size:168K  ixys
 ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf pdf_icon

IXTT500N04T2

IXTQ52N30P VDSS = 300 V PolarHTTM IXTT52N30P ID25 = 52 A Power MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G ID25 TC = 25 C52 A D (TAB)

Otros transistores... IXTT30N50P, IXTT30N60L2, IXTT30N60P, IXTT360N055T2, IXTT36N50P, IXTT40N50L2, IXTT440N055T2, IXTT48P20P, AO3401, IXTT50N30, IXTT50P085, IXTT50P10, IXTT52N30P, IXTT60N10, IXTT60N20L2, IXTT64N25P, IXTT68P20T