IXTT50P10 Todos los transistores

 

IXTT50P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTT50P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTT50P10 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:187K  ixys
 ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdf pdf_icon

IXTT50P10

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

 9.1. Size:168K  ixys
 ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf pdf_icon

IXTT50P10

IXTQ52N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT52N30P ID25 = 52 APower MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C52 AD(TAB)

Otros transistores... IXTT360N055T2 , IXTT36N50P , IXTT40N50L2 , IXTT440N055T2 , IXTT48P20P , IXTT500N04T2 , IXTT50N30 , IXTT50P085 , K4145 , IXTT52N30P , IXTT60N10 , IXTT60N20L2 , IXTT64N25P , IXTT68P20T , IXTT69N30P , IXTT6N120 , IXTT72N10 .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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