IXTT50P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTT50P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTT50P10

IXTT50P10 Datasheet (PDF)

8.1. Size:187K ixys
ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

9.1. Size:168K ixys
ixtq52n30p ixtt52n30p.pdf

IXTQ52N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT52N30P ID25 = 52 APower MOSFET RDS(on) 66 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C52 AD(TAB)

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: