3SK224 Todos los transistores

 

3SK224 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3SK224
   Código: U94_U95
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.025 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT143
 

 Búsqueda de reemplazo de 3SK224 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3SK224 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  1
3sk224.pdf pdf_icon

3SK224

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK224RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNERN-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR4 PINS MINI MOLDFEATURESPACKAGE DIMENSIONS Low Noise Figure: NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz)(Unit: mm) High Power Gain: GPS = 17 dB TYP. (f = 900 MHz)2.8+0.2 Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. 0.11.5+0.2 0.1 Auto

 9.1. Size:43K  1
3sk222.pdf pdf_icon

3SK224

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK222RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNERN-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR4 PINS MINI MOLDFEATURESPACKAGE DIMENSIONS The Characteristic of Cross-Modulation is good.(Unit: mm)CM = 92 dB TYP. @ f = 200 MHz, GR = 30 dB2.8+0.2 0.3 Low Noise Figure: NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz)1.5+0.2 0.1

 9.2. Size:43K  1
3sk223.pdf pdf_icon

3SK224

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR3SK223RF AMPLIFIER FOR CATV TUNERN-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR4 PINS MINI MOLDFEATURES PACKAGE DIMENSIONS The Characteristic of Cross-Modulation is good. (Unit: mm)CM = 101 dB TYP. @ f = 470 MHz, GR = 30 dB2.8+0.2 0.3 Low Noise Figure: NF1 = 2.2 dB TYP. (f = 470 MHz)1.5+0.2 0.3NF2 = 0.9 dB TYP

 9.3. Size:177K  toshiba
3sk225.pdf pdf_icon

3SK224

3SK225 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Dual Gate MOS Type 3SK225 TV Tuner, VHF RF Amplifier Applications Unit: mmFM Tuner Applications TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications Superior cross modulation performance. Low noise figure: NF = 2.0dB (typ.) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS 1

Otros transistores... 3SK193Q , 3SK194 , 3SK202Q , 3SK202R , 3SK206 , 3SK222 , 3SK219 , 3SK223 , 5N60 , 3SK227 , 3SK37 , 3SK38 , 3SK38A , 3SK39 , 3SK40 , 3SK41 , 3SK44 .

 

 
Back to Top

 


 
.