IXTU1R4N60P Todos los transistores

 

IXTU1R4N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTU1R4N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTU1R4N60P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTU1R4N60P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1R4N60P

Preliminary Technical InformationVDSS = 800VIXTA1N80PPolarTM PowerID25 = 1AIXTP1N80PMOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80PIXTY1N80PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU)GG(TAB)(TAB)(TAB)S G DDSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-252 (IXTY)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVD

Otros transistores... IXTT90P10P , IXTT96N15P , IXTT96N20P , IXTU01N100D , IXTU02N50D , IXTU05N100 , IXTU12N06T , IXTU1N80P , SI2302 , IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS , IXTV18N60P .

History: SIB417DK

 

 
Back to Top

 


 
.