IXTU1R4N60P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTU1R4N60P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: TO251

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IXTU1R4N60P datasheet

 9.1. Size:161K  ixys
 ixta1n80p ixtp1n80p ixtu1n80p ixty1n80p.pdf pdf_icon

IXTU1R4N60P

Preliminary Technical Information VDSS = 800V IXTA1N80P PolarTM Power ID25 = 1A IXTP1N80P MOSFET RDS(on) 14 IXTU1N80P IXTY1N80P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) TO-220 (IXTP) TO-251 (IXTU) G G (TAB) (TAB) (TAB) S G D D S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXTY) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VD

Otros transistores... IXTT90P10P, IXTT96N15P, IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, SI2302, IXTU2N80P, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P