IXTU5N50P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTU5N50P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de IXTU5N50P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTU5N50P datasheet

No DATA!

Otros transistores... IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, IXTU4N60P, 20N50, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P, IXTV18N60PS, IXTV200N10T, IXTV200N10TS