IXTV18N60PS Todos los transistores

 

IXTV18N60PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTV18N60PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTV18N60PS Datasheet (PDF)

 4.1. Size:171K  ixys
 ixtq18n60p ixtv18n60p.pdf pdf_icon

IXTV18N60PS

IXTQ 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXTV 18N60PS RDS(on) 420 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXTQ)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGVGSM Tranisent 40 VD (TAB)DSID25 TC = 25

Otros transistores... IXTU2N80P , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS , IXTV18N60P , K2611 , IXTV200N10T , IXTV200N10TS , IXTV22N50P , IXTV22N50PS , IXTV22N60P , IXTV22N60PS , IXTV230N085T , IXTV230N85TS .

History: SFP120N80A | FDY4000CZ

 

 
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