IXTX200N10L2 Todos los transistores

 

IXTX200N10L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX200N10L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 245 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXTX200N10L2 datasheet

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 ixtx200n10l2.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX200N10L2 FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V

 8.1. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

High Voltage Power VDSS = 1500V IXTK20N150 MOSFETs w/ Extended ID25 = 20A IXTX20N150 FBSOA RDS(on)

 9.1. Size:179K  ixys
 ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 100V IXTK210P10T Power MOSFETs ID25 = - 210A IXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

Otros transistores... IXTV30N60PS , IXTV36N50P , IXTV36N50PS , IXTV86N25T , IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IRF540N , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 .

History: IXTX22N100L

 

 
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