IXTX200N10L2 Todos los transistores

 

IXTX200N10L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX200N10L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 245 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXTX200N10L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 ixtx200n10l2.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX200N10L2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV

 8.1. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)

 9.1. Size:179K  ixys
 ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 100VIXTK210P10TPower MOSFETs ID25 = - 210AIXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C -100 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

Otros transistores... IXTV30N60PS , IXTV36N50P , IXTV36N50PS , IXTV86N25T , IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IRF540N , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 .

 

 
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