IXTX200N10L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTX200N10L2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 245 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTX200N10L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX200N10L2 даташит

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 ixtx200n10l2.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX200N10L2 FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V

 8.1. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

High Voltage Power VDSS = 1500V IXTK20N150 MOSFETs w/ Extended ID25 = 20A IXTX20N150 FBSOA RDS(on)

 9.1. Size:179K  ixys
 ixtk210p10t ixtx210p10t.pdf pdf_icon

IXTX200N10L2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 100V IXTK210P10T Power MOSFETs ID25 = - 210A IXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

Другие IGBT... IXTV30N60PS, IXTV36N50P, IXTV36N50PS, IXTV86N25T, IXTV96N25T, IXTX110N20L2, IXTX170P10P, IXTX17N120L, IRF540N, IXTX20N140, IXTX22N100L, IXTX24N100, IXTX32P60P, IXTX40P50P, IXTX46N50L, IXTX550N055T2, IXTX5N250