IXTX32P60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTX32P60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 480 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXTX32P60P MOSFET
IXTX32P60P Datasheet (PDF)
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Otros transistores... IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IRFZ44 , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 .



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