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IXTY1R6N100D2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY1R6N100D2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IXTY1R6N100D2 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:91K  ixys
 ixtp1r6n50p ixty1r6n50p.pdf pdf_icon

IXTY1R6N100D2

IXTP 1R6N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTY 1R6N50P ID25 = 1.6 APower MOSFET RDS(on) 6.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VG(TAB)DVGSM Transient 40 VSID25 TC = 25C 1.6 AIDM

 6.2. Size:179K  ixys
 ixty1r6n50d2 ixta1r6n50d2 ixtp1r6n50d2.pdf pdf_icon

IXTY1R6N100D2

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTY1R6N50D2MOSFET ID(on) > 1.6AIXTA1R6N50D2 RDS(on) 2.3 IXTP1R6N50D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C 100 WD (Tab)TJ -

 8.1. Size:123K  ixys
 ixty1r4n120p.pdf pdf_icon

IXTY1R6N100D2

PolarTM VDSS = 1200VIXTY1R4N120PPower MOSFETs ID25 = 1.4AIXTA1R4N120P RDS(on) 13 IXTP1R4N120PTO-252 (IXTY)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic RectifierSD (Tab)TO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1200 VSVGSS Contin

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History: MFE930 | AOB256L | CED02N6A | BRCS1C5P06MF | AOW2918 | IXTK120N65X2 | HY1708MF-VB

 

 
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