VBH40-05B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBH40-05B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 270 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.116 Ohm
Paquete / Cubierta: V2PACK
Búsqueda de reemplazo de VBH40-05B MOSFET
VBH40-05B Datasheet (PDF)
vbh40-05b.pdf

VBH 40-05BVDSS = 500 VModule with HiPerFETTM H-Bridge andRDSon = 116 mSingle Phase Mains Rectifier BridgeVRRM = 1200 VIDAV25 = 90 APreliminary datapin configuration see outlinesApplication Mains Rectifier Bridge D1 - D4primary side of mains suppliedSymbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power suppliesVRRM 1200 V
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BSS110
History: BSS110



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