VBH40-05B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBH40-05B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 270 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.116 Ohm
Paquete / Cubierta: V2PACK
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VBH40-05B Datasheet (PDF)
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vbh40-05b.pdf
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VBH 40-05BVDSS = 500 VModule with HiPerFETTM H-Bridge andRDSon = 116 mSingle Phase Mains Rectifier BridgeVRRM = 1200 VIDAV25 = 90 APreliminary datapin configuration see outlinesApplication Mains Rectifier Bridge D1 - D4primary side of mains suppliedSymbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power suppliesVRRM 1200 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
