VBH40-05B Todos los transistores

 

VBH40-05B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBH40-05B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.116 Ohm
   Paquete / Cubierta: V2PACK
 

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VBH40-05B datasheet

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VBH40-05B

VBH 40-05B VDSS = 500 V Module with HiPerFETTM H-Bridge and RDSon = 116 m Single Phase Mains Rectifier Bridge VRRM = 1200 V IDAV25 = 90 A Preliminary data pin configuration see outlines Application Mains Rectifier Bridge D1 - D4 primary side of mains supplied Symbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power supplies VRRM 1200 V

Otros transistores... IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , SI2302 , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F .

History: IXUV170N075 | VHM40-06P1

 

 

 


 
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