VBH40-05B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBH40-05B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
Тип корпуса: V2PACK
Аналог (замена) для VBH40-05B
VBH40-05B Datasheet (PDF)
vbh40-05b.pdf
VBH 40-05BVDSS = 500 VModule with HiPerFETTM H-Bridge andRDSon = 116 mSingle Phase Mains Rectifier BridgeVRRM = 1200 VIDAV25 = 90 APreliminary datapin configuration see outlinesApplication Mains Rectifier Bridge D1 - D4primary side of mains suppliedSymbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power suppliesVRRM 1200 V
Другие MOSFET... IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , 2N60 , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f


