Справочник MOSFET. VBH40-05B

 

VBH40-05B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBH40-05B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
   Тип корпуса: V2PACK
 

 Аналог (замена) для VBH40-05B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBH40-05B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  ixys
 vbh40-05b.pdf pdf_icon

VBH40-05B

VBH 40-05BVDSS = 500 VModule with HiPerFETTM H-Bridge andRDSon = 116 mSingle Phase Mains Rectifier BridgeVRRM = 1200 VIDAV25 = 90 APreliminary datapin configuration see outlinesApplication Mains Rectifier Bridge D1 - D4primary side of mains suppliedSymbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power suppliesVRRM 1200 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP4NA80

 

 
Back to Top

 


 
.