VBH40-05B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBH40-05B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm
Тип корпуса: V2PACK
VBH40-05B Datasheet (PDF)
vbh40-05b.pdf
VBH 40-05BVDSS = 500 VModule with HiPerFETTM H-Bridge andRDSon = 116 mSingle Phase Mains Rectifier BridgeVRRM = 1200 VIDAV25 = 90 APreliminary datapin configuration see outlinesApplication Mains Rectifier Bridge D1 - D4primary side of mains suppliedSymbol Conditions Maximum Ratings welding converters switched mode power suppliesVRRM 1200 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100