BLD6G21LS-50 Todos los transistores

 

BLD6G21LS-50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLD6G21LS-50
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.736 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1130B
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLD6G21LS-50 Datasheet (PDF)

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History: AM3906N | NCEP070N10GU | WMQ46N03T1 | 2SK2907-01 | STW24N60M2 | RUH1H130S | FDB6690S

 

 
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