BLF178P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLF178P
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: SOT539A
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BLF178P datasheet
blf178p.pdf
BLF178P Power LDMOS transistor Rev. 2 16 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF to 110 MHz band. Table 1. Application information Test signal f VDS PL Gp D (MHz) (V) (W) (dB) (%) CW 108 50 1000 26 75 pulsed RF 108 50 1200 28.5 75 1.2 Features
blf177 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF177 HF/VHF power MOS transistor September 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF177 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion 14 andbook, halfpage Easy power control Good thermal stability
blf175.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D065 BLF175 HF/VHF power MOS transistor Product specification 2003 Jul 22 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF175 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion Easy power control Good thermal stability ook, halfpage Withstands
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Liste
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