BLF178P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLF178P

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT539A

Аналог (замена) для BLF178P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF178P даташит

 ..1. Size:524K  nxp
blf178p.pdfpdf_icon

BLF178P

BLF178P Power LDMOS transistor Rev. 2 16 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A 1200 W LDMOS power transistor for broadcast applications and industrial applications in the HF to 110 MHz band. Table 1. Application information Test signal f VDS PL Gp D (MHz) (V) (W) (dB) (%) CW 108 50 1000 26 75 pulsed RF 108 50 1200 28.5 75 1.2 Features

 9.1. Size:96K  philips
blf177 cnv 2.pdfpdf_icon

BLF178P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF177 HF/VHF power MOS transistor September 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF177 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion 14 andbook, halfpage Easy power control Good thermal stability

 9.2. Size:132K  philips
blf175.pdfpdf_icon

BLF178P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D065 BLF175 HF/VHF power MOS transistor Product specification 2003 Jul 22 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF175 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion Easy power control Good thermal stability ook, halfpage Withstands

 9.3. Size:117K  philips
blf177.pdfpdf_icon

BLF178P

Другие IGBT... BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046, BLF145, BLF147, BLF175, BLF177, STP80NF70, BLF202, BLF2043F, BLF242, BLF2425M7L250P, BLF2425M7LS250P, BLF244, BLF245, BLF245B