BLF404 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLF404

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12.5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: SOT409A

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BLF404 datasheet

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BLF404

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D175 BLF404 UHF power MOS transistor Product specification 2003 Sep 26 Supersedes data of 1998 Jan 29 Philips Semiconductors Product specification UHF power MOS transistor BLF404 FEATURES PINNING - SOT409A High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1, 8 source Gold metallization 2, 3 gate Good thermal stability 4, 5

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BLF404

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BLF404

BFL4037 Ordering number ENA1831 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BFL4037 Applications Features ON-resistance RDS(on)=0.33 (typ.) Input capacitance Ciss=1200pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 500 V

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BLF404

BFL4036 Ordering number ENA1830 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BFL4036 Applications Features ON-resistance RDS(on)=0.4 (typ.) Input capacitance Ciss=1000pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 500 V

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