BLF6G20LS-180RN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLF6G20LS-180RN

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT502B

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BLF6G20LS-180RN datasheet

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BLF6G20LS-180RN

BLF6G20-110; BLF6G20LS-110 Power LDMOS transistor Rev. 03 13 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz. Table 1. Typical performance RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) G

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BLF6G20LS-180RN

BLF6G20LS-140 Power LDMOS transistor Rev. 01 27 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 140 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz. Table 1. Typical performance RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) Gp D IMD3 A

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BLF6G20LS-180RN

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