BLF861A Todos los transistores

 

BLF861A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLF861A
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 32 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT540A
 

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BLF861A Datasheet (PDF)

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BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D392BLF861AUHF power LDMOS transistorPreliminary specification 2000 Aug 04Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power LDMOS transistor BLF861AFEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1drain 1 Excellent ruggedness2drain 2 Designed to withstand abrupt load mismatch erro

 ..2. Size:114K  philips
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BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D392BLF861AUHF power LDMOS transistorProduct specification 2001 Feb 09Supersedes data of 2000 Aug 04Philips Semiconductors Product specificationUHF power LDMOS transistor BLF861AFEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain 1 Excellent ruggedness2 drain 2 Designed to withstand a

 8.1. Size:114K  philips
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BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D392BLF861UHF power LDMOS transistorProduct specification 2000 May 23Supersedes data of 2000 Feb 18Philips Semiconductors Product specificationUHF power LDMOS transistor BLF861FEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain 1 Excellent ruggedness2 drain 2 Source on underside elimi

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