Справочник MOSFET. BLF861A

 

BLF861A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLF861A
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT540A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF861A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  philips
blf861a n 1.pdfpdf_icon

BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D392BLF861AUHF power LDMOS transistorPreliminary specification 2000 Aug 04Philips Semiconductors Preliminary specificationUHF power LDMOS transistor BLF861AFEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1drain 1 Excellent ruggedness2drain 2 Designed to withstand abrupt load mismatch erro

 ..2. Size:114K  philips
blf861a.pdfpdf_icon

BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D392BLF861AUHF power LDMOS transistorProduct specification 2001 Feb 09Supersedes data of 2000 Aug 04Philips Semiconductors Product specificationUHF power LDMOS transistor BLF861AFEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain 1 Excellent ruggedness2 drain 2 Designed to withstand a

 8.1. Size:114K  philips
blf861.pdfpdf_icon

BLF861A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D392BLF861UHF power LDMOS transistorProduct specification 2000 May 23Supersedes data of 2000 Feb 18Philips Semiconductors Product specificationUHF power LDMOS transistor BLF861FEATURES PINNING - SOT540A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain 1 Excellent ruggedness2 drain 2 Source on underside elimi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDD86367 | STK801 | 2SK3901-ZK | SI1402DH | 2N4338 | OSG65R2K4FF | MTE13N08J3

 

 
Back to Top

 


 
.