BLL1214-250R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLL1214-250R
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 36 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SOT502A
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BLL1214-250R datasheet
bll1214-250r.pdf
BLL1214-250R LDMOS L-band radar power transistor Rev. 01 4 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement model LDMOS power transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT502A) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange. Table 1. Test information Typical RF performance at Th =25 C; tp = 1 ms
bll1214-35.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D381 BLL1214-35 L-band radar LDMOS driver transistor Product specification 2002 Sep 27 Philips Semiconductors Product specification L-band radar LDMOS driver transistor BLL1214-35 FEATURES PINNING - SOT467C High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1 drain Excellent ruggedness 2 gate Source on mounting base eliminate
Otros transistores... BLF888 , BLF888A , BLF888AS , BLF888B , BLF888BS , BLF8G10L-160 , BLF8G10LS-160 , BLL1214-250 , IRFZ44 , BLL1214-35 , BLL6H0514-25 , BLL6H0514L-130 , BLL6H0514LS-130 , BLL6H1214-500 , BLL6H1214L-250 , BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 .
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