BLS7G2325L-105 Todos los transistores

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BLS7G2325L-105 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLS7G2325L-105

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 105 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT502A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLS7G2325L-105

 

BLS7G2325L-105 Datasheet (PDF)

1.1. bls7g2325l-105.pdf Size:292K _nxp

BLS7G2325L-105
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BLS7G2325L-105 Power LDMOS transistor Rev. 2 — 19 July 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 105 W LDMOS power transistor for S-band radar applications at frequencies from 2300 MHz to 2500 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit. Mode of operation f IDq VDS PL(AV) Gp

4.1. bls7g2933s-150.pdf Size:121K _nxp

BLS7G2325L-105
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BLS7G2933S-150 LDMOS S-band radar power transistor Rev. 2 — 23 February 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 150 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.9 GHz to 3.3 GHz range. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase =25°C; tp = 300 μs; δ = 10 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit. Mod

4.2. bls7g2729l-350p ls-350p.pdf Size:166K _nxp

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BLS7G2729L-350P; BLS7G2729LS-350P LDMOS S-band radar power transistor Rev. 5 — 16 May 2014 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 350 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase =25C; tp = 300 s;  = 10 %; IDq = 200 mA; in a class-AB

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