BSS138PW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSS138PW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SC70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSS138PW

BSS138PW Datasheet (PDF)

..1. Size:899K nxp
bss138pw.pdf

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7.1. Size:915K nxp
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BSS138PS60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 November 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Tr

7.2. Size:172K nxp
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BSS138P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 November 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET te

7.3. Size:1855K cn tech public
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