BUK7635-55A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK7635-55A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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BUK7635-55A datasheet

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BUK7635-55A

BUK7535-55A; BUK7635-55A TrenchMOS standard level FET Rev. 01 10 November 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK7535-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK7635-55A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS te

 ..2. Size:760K  nxp
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BUK7635-55A

BUK7635-55A N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 27 January 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2

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BUK7635-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7635-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 34 A trench technology the devi

 6.1. Size:337K  philips
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BUK7635-55A

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