BUK7L11-34ARC Todos los transistores

 

BUK7L11-34ARC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK7L11-34ARC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 172 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 34 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUK7L11-34ARC Datasheet (PDF)

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BUK7L11-34ARC

BUK7L11-34ARCN-channel TrenchPLUS standard level FETRev. 05 17 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

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BUK7L11-34ARC

BUK7L06-34ARCN-channel TrenchPLUS standard level FETRev. 05 17 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

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History: OSG55R028HTF | LNB20N65 | APM3055LUC | SUM90P10-19 | 3SK100 | FSL110R | IRFS625

 

 
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