BUK7L11-34ARC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7L11-34ARC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 172 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 34 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для BUK7L11-34ARC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7L11-34ARC даташит

 ..1. Size:217K  philips
 buk7l11-34arc.pdf pdf_icon

BUK7L11-34ARC

BUK7L11-34ARC N-channel TrenchPLUS standard level FET Rev. 05 17 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

 9.1. Size:219K  philips
 buk7l06-34arc.pdf pdf_icon

BUK7L11-34ARC

BUK7L06-34ARC N-channel TrenchPLUS standard level FET Rev. 05 17 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. The devices include internal gate resistors and TrenchPLUS diodes for clamping and ElectroStatic Discharge (ESD) protectio

Другие IGBT... BUK7C10-75AITE, BUK7E04-40A, BUK7E07-55B, BUK7E11-55B, BUK7E2R3-40C, BUK7E2R7-30B, BUK7E4R3-75C, BUK7L06-34ARC, SI2302, BUK7Y07-30B, BUK7Y08-40B, BUK7Y102-100B, BUK7Y10-30B, BUK7Y12-55B, BUK7Y13-40B, BUK7Y18-55B, BUK7Y18-75B