2SB339H Todos los transistores

 

2SB339H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB339H
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SB339H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB339H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

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History: ADY14 | MA0492 | ESM5008 | 2SA1013T

 

 
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