2SB407 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB407

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.175 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO3

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2SB407 datasheet

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2SB407

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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