2SB462 Todos los transistores

 

2SB462 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB462
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2SB462 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sb468.pdf pdf_icon

2SB462

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -90V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal deflection power outputapplications.

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