2SB462. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB462

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SB462

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB462 даташит

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sb468.pdf pdf_icon

2SB462

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection power output applications.

Другие транзисторы: 2SB458A, 2SB458B, 2SB459, 2SB46, 2SB460, 2SB460A, 2SB460B, 2SB461, 2SB817, 2SB463, 2SB463B, 2SB463R, 2SB463Y, 2SB464, 2SB465, 2SB466, 2SB467