2SB464 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB464

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.7 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO3

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2SB464 datasheet

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2SB464

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection power output applications.

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