2SB467 Todos los transistores

 

2SB467 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB467
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2SB467 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
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2SB467

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -90V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal deflection power outputapplications.

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History: 2SD1421 | BFY10 | DTB113ZS | 2SA537H

 

 
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