2SB632E Todos los transistores

 

2SB632E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB632E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SB632E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:211K  jmnic
 2sb632 2sb632k.pdf pdf_icon

2SB632E

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB632 2SB632K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD612/612K High collector dissipation Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute max

 8.2. Size:171K  inchange semiconductor
 2sb632-k.pdf pdf_icon

2SB632E

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB632 2SB632K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD612/612K High collector dissipation Wide ASO(Safe Operating Area) APPLICATIONS 25V/35V, 2A low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 B

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sb632.pdf pdf_icon

2SB632E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB632DESCRIPTIONHigh Collector Current-I =-2.0ACHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =-25V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD612Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSLow-frequency power amplifier applicationsABSOLUTE

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History: D965A-S | D41DU11 | TI490 | KSA916 | DTC043TEB | FPN330

 

 
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