2SB633E Todos los transistores

 

2SB633E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB633E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB633E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:27K  sanyo
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2SB633E

Ordering number : ENN66622SB633P/2SD613PPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB633P / 2SD613P85V / 6A, AF 35 to 45W Output ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V,unit : mmhigh current 6A.2010C AF 35 to 45W output.[2SB633P / 2SD613P]10.24.53.65.11.31.20.80.41 : Base2 : Collector1 2 33 : EmitterSpec

 8.2. Size:160K  sanyo
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2SB633E

 8.3. Size:199K  jmnic
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2SB633E

JMnic Silicon PNP Power Transistors 2SB633 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD613 High breakdown voltage :VCEO=-85V High current :IC=-6A APPLICATIONS Recommend for 25-35W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Tc=2

 8.4. Size:218K  inchange semiconductor
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2SB633E

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB633DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -85V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD613Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency 25~35 watts output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -1

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History: 2N49 | 2SC2947 | 2SB586 | BC231B | ECG238 | 2N3912 | FMMT717

 

 
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