2SB688R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB688R  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 280 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 55

Encapsulados: TO218

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2SB688R datasheet

 ..1. Size:196K  cn sptech
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2SB688R

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SB688 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD718 APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications Recommend for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PA

 8.1. Size:77K  utc
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2SB688R

UTC 2SB688 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION FEATURES * Complementary to 2SD718. * Recommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage. 1 TO-3P 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER *Pb-free plating product number 2SB688L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO -120 V Collector-Emi

 8.2. Size:114K  mospec
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2SB688R

A A A

 8.3. Size:29K  wingshing
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2SB688R

2SB688 PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SD716 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 C C) C C Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -140 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -6 V Collector Current (DC) IC -6 A Collect

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