2SB714 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB714 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.6 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO39
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2SB714 datasheet
2sb710.pdf
Transistors 2SB0710, 2SB0710A Silicon PNP epitaxial planer type Unit mm 0.40+0.10 For general amplification 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Complementary to 2SD0602 and 2SD0602A Features Large collector current IC 1 2 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and (0.95) (0.95) automatic insertion through the tape packing and the magazine 1.9 0.1 2.90+0.20
2sb710 e.pdf
Transistor 2SB710, 2SB710A Silicon PNP epitaxial planer type For general amplification Unit mm Complementary to 2SD602 and 2SD602A +0.2 2.8 0.3 Features +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Large collector current IC. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine 1 packing. 3 Absolute Maximum
Otros transistores... 2SB709, 2SB709A, 2SB71, 2SB710, 2SB710A, 2SB711, 2SB712, 2SB713, 2SD669, 2SB715, 2SB716, 2SB716A, 2SB717, 2SB718, 2SB719, 2SB720, 2SB721
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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