2SB753O Todos los transistores

 

2SB753O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB753O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB753O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:41K  no
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2SB753O

 8.2. Size:209K  jmnic
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2SB753O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB753 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD843 Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outl

 8.3. Size:216K  inchange semiconductor
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2SB753O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB753DESCRIPTIONHigh Collector Current:I = -7ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -4ACE(sat) CHigh Collector Power DissipationComplement to Type 2SD843Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current switching applicationsPower amplifier applicatio

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History: RS7543 | 2SA1427O | FC1404 | 2SD2051 | HSE401 | HA06 | CDB550

 

 
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