2SB753O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB753O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB753O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB753O даташит

 8.1. Size:41K  no
 2sb753.pdf pdf_icon

2SB753O

 8.2. Size:209K  jmnic
 2sb753.pdf pdf_icon

2SB753O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB753 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD843 Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outl

 8.3. Size:216K  inchange semiconductor
 2sb753.pdf pdf_icon

2SB753O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB753 DESCRIPTION High Collector Current I = -7A C Low Collector Saturation Voltage V = -0.5V(Max)@I = -4A CE(sat) C High Collector Power Dissipation Complement to Type 2SD843 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB75, 2SB750, 2SB750A, 2SB750B, 2SB751, 2SB751A, 2SB751B, 2SB753, S8550, 2SB753Y, 2SB754, 2SB754O, 2SB754Y, 2SB755, 2SB756, 2SB757, 2SB758