2SB754Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB754Y  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 300 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO218

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2SB754Y datasheet

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2SB754Y

 8.2. Size:326K  jmnic
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2SB754Y

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SB754 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SD844 High collector current I =-7A C Low collector saturation voltage High power dissipation APPLICATIONS High current switching applications Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected

 8.3. Size:199K  inchange semiconductor
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2SB754Y

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB754 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO High Collector Current I = -7A C Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max) @I = -4A CE(sat) C Complement to Type 2SD844 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High cur

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